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GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG（因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。
鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時研究發(fā)現(xiàn)它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結構而難以生長，經(jīng)過幾年的努力，目前科晶公司能夠提供世界上質量*尺寸的MgAl2O4晶體
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