18255163376
當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 晶體產(chǎn)品 > Ⅲ-Ⅴ族晶體基片 > GaN氮化鎵（GaN）晶體基片
簡要描述：GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG（因?yàn)?-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價位的氮化鎵晶體和基片。
產(chǎn)品型號：GaN 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-02-11訪 問 量：3035詳細(xì)介紹
產(chǎn)品名稱： | 氮化鎵(GaN)晶體基片 | ||||||||||||||||
產(chǎn)品簡介： | GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG(因?yàn)?span style="font-family:arial">2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價位的氮化鎵晶體和基片。 | ||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù)： |
| ||||||||||||||||
產(chǎn)品規(guī)格： | 晶體方向: <0001>;常規(guī)尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 | ||||||||||||||||
標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝 |
相關(guān)產(chǎn)品：
 |
|
|
|
|
|
Thin Films A-Z | Crystal wafer A-Z | 等離子清洗機(jī) | 基片包裝盒系列 | 切割機(jī) | 薄膜制備設(shè)備 |
產(chǎn)品咨詢
聯(lián)系我們
中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司 公司地址：安徽省合肥市蜀山區(qū)科學(xué)院路10號 技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng)掃一掃 更多精彩
微信二維碼
網(wǎng)站二維碼
歡迎來到
