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簡要描述:PMN-PT晶體基片
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產(chǎn)品名稱: | PMN-PT晶體基片 | ||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡介: | 用改進的Bridgman法生長出了高質(zhì)量的大尺寸弛豫鐵電單晶PMNT,該單晶具有優(yōu)異的壓電性能、非線性光學(xué)性能和熱釋電性能,不僅可以滿足應(yīng)用需要成為新一代高性能壓電換能器、非線性光學(xué)器件和光電探測器件(如紅外探測器)的核心材料,而且還為廣大的科研人員提供了良好的研究載體,歡迎國內(nèi)外各科研院所和公司企業(yè)定購我們的單晶產(chǎn)品,進行相關(guān)的科學(xué)研究及器件研發(fā)和生產(chǎn)。 | ||||||||||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù): |
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產(chǎn)品規(guī)格: | 常規(guī)晶向:<100>, <001>, <111>; 晶向公差:+/-0.5度; 常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm,dia20x0.5mm 拋光情況:單拋或雙拋,Ra<5A 注:可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。 | ||||||||||||||||||||||||
典型性能: |
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標準包裝: | 1000級超凈室,100級超凈袋封裝 |
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LaAlO3 | MgO | YSZ | SrLaAlO4 |
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