CdZnTe晶體基片

簡(jiǎn)要描述：CdZnTe晶體是一種閃爍礦結(jié)構(gòu)的連續(xù)固溶體，改變Zn的組分，其晶格常數(shù)在0.6100 -0.6482urn之間連續(xù)可調(diào)，能與不同波段的HgCdTe晶格常數(shù)精確匹配。因此CdZnTe晶體是目前*的Z佳HgCdTe襯底。

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-02-10
訪問(wèn) 量：2045

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晶體產(chǎn)品

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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱

Cd1-xZnxTe晶體基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

CdZnTe晶體是一種閃爍礦結(jié)構(gòu)的連續(xù)固溶體，改變Zn的組分，其晶格常數(shù)在0.6100 -0.6482urn之間連續(xù)可調(diào)，能與不同波段的HgCdTe晶格常數(shù)精確匹配。因此CdZnTe晶體是目前*的*HgCdTe襯底。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

良好的導(dǎo)電性能；
廣發(fā)可調(diào)和直接帶隙
較高的吸收系數(shù)；
與HgCdTe外延膜的晶格匹配性好；
溫和的熱膨脹性；

技術(shù)參數(shù)：

晶體名稱	Cd _1-x Zn_xTe
生長(zhǎng)方法	Bridgeman
結(jié)構(gòu)	立方
晶格常數(shù)(A)	a=6.486
密度 ( g/cm³)	5.851
熔點(diǎn) (^oC)	1045
熱容 (J /g.k)	0.210
熱膨脹系數(shù)(10^-6/K)	5.0
類型	P-型
組成	y=4±0.5%
紅外透過(guò)率	>60% (2um-25um)
腐蝕坑密度	<1e5
X射線搖擺曲線半峰寬	<30弧秒

產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)晶向：<111> 或者<211>,B面，±0.5度

尺寸：15x15mm;15x20mm;20x20mm;

20x25mm;25x30mm;30x30mm;

厚度1mm。

注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

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