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簡要描述：AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底。科晶真誠歡迎您的垂詢！
產(chǎn)品型號： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-02-10訪 問 量：2821詳細(xì)介紹
產(chǎn)品名稱： | 氮化鋁(AlN)薄膜 | ||||||||||||||||
產(chǎn)品簡介： | AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底?？凭д嬲\歡迎您的垂詢！ | ||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù)： |
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產(chǎn)品規(guī)格： | 氮化鋁(藍(lán)寶石襯底)：dia2"*1500nm±10% 注：可根據(jù)客戶需求定制特殊的方向和尺寸。 | ||||||||||||||||
標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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