InAs晶體基片

簡要描述：砷化銦（InAs）晶體

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-02-10
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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

砷化銦（InAs）晶體

產(chǎn)品簡介：

技術(shù)參數(shù)：

晶體結(jié)構(gòu)：	立方 a =5.4505 ?
生長方法:	CZ
導(dǎo)電類型：	N型
摻雜類型：	不摻雜
載流子濃度：	2 ~ 5E16 / cm3
遷移率：	>18500cm2/V.S

常規(guī)尺寸：

常規(guī)晶向：<100>、<111>；

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;拋光情況：單拋或雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

備注：

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋

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