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  • Ce:Lu2SiO5晶體基片

    閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率,由于它的能度和強度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測設(shè)備中,比如機場,火車站,自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。

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    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2025-02-10
  • GaN薄膜

    氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。在HVPE過程中,鹽酸反應(yīng)生成GaCl,而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化鎵單晶基板。

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    更新日期:2025-02-10
  • GaP晶體基片

    磷化鎵(GaP)晶體基片

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    產(chǎn)品價格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2025-02-10
  • DyScO3晶體基片

    與鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)體有很好的晶格匹配 的鐵電薄膜襯底材料

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    更新日期:2025-02-10
  • GaAs晶體基片

    砷化鎵(GaAs)晶體基片

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    產(chǎn)品價格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2025-02-10
  • CdTe晶體基片

    碲化鎘(CdTe)晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測;紅外光學(xué);外延基片;蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。

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